[发明专利]一种硅太阳能电池背板及其制作方法有效
申请号: | 201410153100.8 | 申请日: | 2014-04-16 |
公开(公告)号: | CN103956399B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请(专利权)人: | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙)31290 | 代理人: | 金碎平 |
地址: | 214222 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅太阳能电池背板及其制作方法,所述硅太阳能电池背板,包括硅片基板和铝膜,其中,所述铝膜印刷在硅片基板上,所述铝膜和硅片基板之间设有钛掺杂层;制作步骤如下:a)首先提供硅片基板;b)接着在硅片基板背表面通过离子注入的方式注入钛原子;c)再将硅片基板放入激光快速熔融系统中,在硅片基板背表面形成钛掺杂层;d)最后对具有钛掺杂层的硅片基板背表面进行铝浆印刷和烧结,形成覆盖在钛掺杂层上的铝膜。本发明提供的硅太阳能电池背板及其制作方法,在硅片基板背面表层均匀掺杂指定浓度范围的钛元素形成红外吸收层,从而可大幅度提高硅太阳能电池对红外波段的吸收系数,进而提高太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 背板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种硅太阳能电池背板的制作方法,其特征在于,所述硅太阳能电池背板包括硅片基板和铝膜,所述铝膜印刷在硅片基板上,所述铝膜和硅片基板之间设有钛掺杂层,所述钛掺杂层的厚度为10~30nm;所述制作方法包括如下步骤:a)首先提供硅片基板;b)接着在硅片基板背表面通过离子注入的方式注入钛原子;c)再将硅片基板放入激光快速熔融系统中,在硅片基板背表面形成钛掺杂层;d)最后对具有钛掺杂层的硅片基板背表面进行铝浆印刷和烧结,形成覆盖在钛掺杂层上的铝膜;所述步骤c)中激光熔融退火时间为10~20ns,形成的钛掺杂层中的钛掺杂最高浓度为5*1019cm‑3~1*1020cm‑3;所述步骤d)中烧结温度为800℃,烧结时间为20~40s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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