[发明专利]氮化镓基晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410153247.7 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103996706A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 谢海忠;纪攀峰;杨华;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化镓基晶体管及其制备方法。该氮化镓基晶体管包括：衬底；依次沉积于衬底上的低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝掺入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，其中，氮化镓帽层的两侧经刻蚀分别形成至铝镓氮势垒层的台阶；分别形成于氮化镓帽层两侧台阶的漏极和源级；形成于氮化镓帽层上方的栅极，构成氮化镓基晶体管主体；以及形成于氮化镓基晶体管主体的背面以及侧面，并露出漏极、栅极和源级的绝缘封装层。本发明氮化镓基晶体管及其制备方法在器件工艺的制作过程中由原来的三十步工艺，缩减到现在的二十二步工艺左右，同时使得器件体积减少到原来的五分之一。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基晶体管，其特征在于，包括：衬底(1)；依次沉积于所述衬底(1)上的低温成核层(2)、氮化镓高阻层(3)、高迁移率氮化镓层(4)、氮化铝掺入层(5)、铝镓氮势垒层(6)和氮化镓帽层(7)，其中，所述氮化镓帽层(7)的两侧经刻蚀分别形成至所述铝镓氮势垒层(6)的台阶；分别形成于所述氮化镓帽层(7)两侧台阶的漏极(8)和源级(10)；形成于所述氮化镓帽层7上方的栅极(9)，构成氮化镓基晶体管主体；以及形成于所述氮化镓基晶体管主体的背面以及侧面，并露出所述漏极(8)、栅极(9)和源级(10)的绝缘封装层(11)。
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