[发明专利]微型非晶硅薄膜太阳能电池片的生产方法

摘要

本发明公开了一种微型非晶硅薄膜太阳能电池片的生产方法；所述方法包括如下步骤：对导电玻璃基板上TCO膜层激光刻划，制造子电池；在TCO膜层上制备PIN电池膜层；激光刻划PIN电池膜层；在PIN电池膜层上进行PVD顺次沉积ZnO、铝、铜镍，得镀膜层；激光刻划镀膜层后粘覆PET保护膜；在PET保护膜层激光打标并撕去打标区域的PET保护膜，在打标区域加锡引出正负极焊点，并通过切割和测试，得所述微型非晶硅薄膜太阳能电池片。本发明通过对器件结构和生产工艺的改进，使制得的微型非晶硅薄膜太阳能电池片的转换效率为7％～8％，较目前市面上普遍的6％～7％，提高了1％左右，且更适合应用于太阳能灯具、充电器等产品。

主权项

一种微型非晶硅薄膜太阳能电池片的生产方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、对导电玻璃基板上的TCO膜层激光刻划，制造子电池；B、在TCO膜层上制备PIN电池膜层；C、激光刻划PIN电池膜层；D、在PIN电池膜层上进行PVD顺次沉积ZnO、铝、铜镍，得镀膜层；E、激光刻划镀膜层后粘覆PET保护膜；F、在PET保护膜层激光打标并撕去打标区域的PET保护膜，在打标区域加锡引出正负极焊点，经切割和测试，即得所述微型非晶硅薄膜太阳能电池片；所述导电玻璃基板是采用在线CVD在玻璃基板上沉积参杂F的SnO₂层，其厚度在800～1000nm；所述PIN电池层为通过PE‑CVD法制备得到的单层PIN，制备方法具体如下：制备P层，使用B(CH₃)₃、SiH₄、CH₄、H₂气体，沉积温度178℃～182℃，功率密度15～19mW/cm2，氢稀释比R为23～35，硅烷与甲烷流量比为10:1～1.35，沉积压力为0.8Torr，膜层厚度15～20nm；制备I层，使用SiH₄、H₂气体，其中H₂/SiH₄比之R为19～21，沉积温度178℃～182℃，功率密度18～21mW/cm2，沉积压力为0.48Torr,膜层厚度200～400nm；制备N层，使用PH₃、SiH₄、H₂气体，其中H₂/SiH₄比之R为21～32，沉积温度178℃～182℃，功率密度15～19mW/cm2，沉积压力为0.8Torr,膜层厚度20～25nm。