[发明专利]平面光波导器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410154161.6 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103926649A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 向舟翊;李朝阳 | 申请（专利权）人： | 四川飞阳科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 610209 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种平面光波导器件的制作方法，包括：提供衬底，在衬底的一侧表面上依次层叠有下包层和芯层材料层；在芯层材料层背离衬底一侧的表面上形成多晶硅层，形成多晶硅层的环境温度为500℃～600℃。本发明所提供的制作方法，通过将形成多晶硅层的环境温度由原来的620℃降低至500℃～600℃，使多晶硅材料的沉积速率减慢，从而使晶粒变小，膜层致密性和反射率增大，进而使后续所形成的多晶硅掩膜的尺寸误差减小，侧壁的平整度提高，利用图案化后的多晶硅作为掩膜蚀刻芯层材料层所得到的芯层的尺寸与理想尺寸的差距减小，芯层表面形貌较好，提高了器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 波导 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种平面光波导器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底的一侧表面上依次层叠有下包层和芯层材料层；在所述芯层材料层背离所述衬底一侧的表面上形成多晶硅层，所述形成多晶硅层的环境温度为500℃～600℃。
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