[发明专利]一种单层纳米金表面增强拉曼活性基底及其制备方法有效
申请号: | 201410154357.5 | 申请日: | 2014-04-17 |
公开(公告)号: | CN103926234B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 杨方;刘琼华;陈旭东;许雪琴;邱彬;林振宇 | 申请(专利权)人: | 福建出入境检验检疫局检验检疫技术中心 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65;B81C1/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350001 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种单层纳米金表面增强拉曼活性基底及其制备方法,制备方法为:单晶硅表面经浓硫酸与双氧水混合溶液氧化后,浸入十六烷基三甲基溴化铵水溶液中,静置18~30 h,制得表面组装有双分子层的硅片;再将硅片浸入纳米金溶胶中,静置18~30 h,然后将硅片于室温下晾干,得到单层纳米金表面增强拉曼活性基底。该制备方法简单,易于使用。经本发明制得的单层纳米金表面增强拉曼活性基底性能优良,具有很强的信号放大能力且可重复使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 单层 纳米 金表 增强 活性 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单层纳米金表面增强拉曼活性基底的制备方法,其特征在于:单晶硅表面经浓硫酸与双氧水混合溶液氧化后,浸入十六烷基三甲基溴化铵水溶液中,静置18 ~ 30 h,制得表面组装有双分子层的硅片;再将硅片浸入纳米金溶胶中,静置18 ~ 30 h,然后将硅片于室温下晾干,得到单层纳米金表面增强拉曼活性基底;单晶硅表面的氧化时间为48~60h;所述的浓硫酸与双氧水混合溶液,其中,浓硫酸与双氧水的体积比为:4:1;所述的十六烷基三甲基溴化铵水溶液浓度为0.05 ~ 0.1 mol/L。
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