[发明专利]用于薄膜沉积工艺的装置有效

专利信息
申请号: 201410154930.2 申请日: 2014-04-17
公开(公告)号: CN103966550A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 侯悦民;吴晓晶;季林红 申请(专利权)人: 北京信息科技大学;清华大学
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C16/44
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 黄德海
地址: 100192 北京市海*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于薄膜沉积工艺的装置,包括:外壳;多孔喷淋头,多孔喷淋头设在外壳内并将外壳内部间隔出位于多孔喷淋头上方的第一腔室和位于多孔喷淋头下方的第二腔室;第一导向叶片,第一导向叶片可旋转地设在第一腔室内的上部;第二导向叶片,第二导向叶片设在第一腔室内并邻近多孔喷淋头设置,第二导向叶片可绕竖直方向旋转;以及升降座。根据本发明的用于薄膜沉积工艺的装置,通过在外壳内部增设第一和第二导向叶片,使进入到第一腔室内的流体先后经过第一导向叶片和第二导向叶片,进行两次混气和调速后,以预定的速度和方向通过喷淋头孔、由多孔喷淋头流出,进入到第二腔室内,从而提高了晶片表面流场的均匀性,加快了沉积速率。
搜索关键词: 用于 薄膜 沉积 工艺 装置
【主权项】:
一种用于薄膜沉积工艺的装置,其特征在于,包括:外壳;多孔喷淋头,所述多孔喷淋头具有沿上下方向贯通的多个喷淋孔,所述多孔喷淋头设在所述外壳内并将所述外壳内部间隔出位于所述多孔喷淋头上方的第一腔室和位于所述多孔喷淋头下方的第二腔室;第一导向叶片,所述第一导向叶片可旋转地设在所述第一腔室内的上部;第二导向叶片,所述第二导向叶片设在所述第一腔室内并邻近所述多孔喷淋头设置,所述第二导向叶片可绕竖直方向旋转;以及升降座,所述升降座设在所述第二腔室的底部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京信息科技大学;清华大学,未经北京信息科技大学;清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410154930.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top