[发明专利]用于半导体器件的布线层的通孔

摘要

本发明涉及用于半导体器件的布线层的通孔。公开了通孔结构及其形成方法。在一种这样的方法中，执行至少穿过布线层的第一电介质材料的第一蚀刻，使得形成勾勒出所述通孔的环结构的轮廓的第一孔。此外，在所述孔中沉积应力减轻电介质材料，使得所述应力减轻电介质材料至少横向地从所述第一电介质材料设置。此外，执行至少穿过被设置在所述布线层下方的半导体层的半导体材料的第二蚀刻，其中所述第二蚀刻在所述半导体材料中形成过孔的孔。此外，用导电材料填充所述过孔的孔的至少一部分以形成所述通孔，使得所述应力减轻电介质材料至少在所述布线层中提供所述导电材料与所述第一电介质材料之间的缓冲。

主权项

一种在半导体器件中形成通孔的方法，包括：执行至少穿过所述半导体器件的布线层的第一电介质材料的第一蚀刻，所述第一蚀刻形成勾勒出用于所述通孔的环结构的轮廓的第一孔；在所述第一孔中沉积应力减轻电介质材料，使得所述应力减轻电介质材料至少横向地从所述第一电介质材料设置，其中所述应力减轻电介质材料是高纵横比工艺氧化物；执行至少穿过被设置在所述布线层下方的半导体层的半导体材料的第二蚀刻，所述第二蚀刻在所述半导体材料中形成过孔的孔；以及用导电材料填充所述过孔的孔的至少一部分以形成所述通孔，使得所述应力减轻电介质材料至少在所述布线层中提供所述导电材料与所述第一电介质材料之间的缓冲。