[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410155975.1 | 申请日： | 2014-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN104111132B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 秋山丰;中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于抑制当环境温度改变时可以引起的由压力传感器检测到的数值的误差。半导体衬底具有第一导电类型。半导体层形成在半导体衬底的第一表面之上。每个电阻部件都具有第二导电类型，并且形成在半导体层中。电阻部件相互间隔开。隔离区域是形成在半导体层中的第一导电类型的区域，并且将电阻部件相互电隔离开。凹陷部分形成在半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时凹陷部分与电阻部件重叠。半导体层是外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 电阻部件 衬底 半导体 第一导电类型 凹陷 压力传感器检测 半导体器件 导电类型 第二表面 第一表面 隔离区域 电隔离 外延层 观察 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在所述半导体衬底的第一表面之上的半导体层；第二导电类型的多个电阻部件，其形成在所述半导体层中并且相互间隔开；所述第一导电类型的隔离区域，其形成在所述半导体层中并且将所述多个电阻部件相互隔离；以及凹陷部分，其形成在所述半导体衬底的第二表面中，并且当平面地观察时其与所述隔离区域和所述多个电阻部件重叠，其中，所述半导体层是所述第二导电类型的外延层。
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