[发明专利]一种逆构造OLED的制备方法有效
| 申请号： | 201410156112.6 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103928639A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 何志江 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201508 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逆构造OLED的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上制备ITO薄膜作为阴极；对所述ITO薄膜进行等离子体浸入离子注入，且同时对所述ITO薄膜施加一脉冲负偏压，从而将所述等离子体按一设定的注入深度注入到所述ITO薄膜内；在所述ITO薄膜上依次成膜形成包括电子注入层、电子运输层、发光层以及空穴运输层在内的有机层；在所述有机层上成膜形成阳极。由于本发明是将等离子体注入到ITO薄膜表面以及表面以下一定深度内的，因此器件具有更加高的稳定性。利用本发明的方法可得到低功函数的ITO薄膜，同时又维持ITO薄膜的透明性和导电性。利用本发明的方法处理后的ITO作为阴极来制备OLED器件可有效提高出光效率及器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 构造 oled 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种逆构造OLED的制备方法，其特征在于包括以下步骤：提供一基板，在所述基板上制备ITO薄膜作为阴极；对所述ITO薄膜进行等离子体浸入离子注入，且同时对所述ITO薄膜施加一脉冲负偏压，从而将所述等离子体按一设定的注入深度注入到所述ITO薄膜内；在所述ITO薄膜上依次成膜形成包括电子注入层、电子运输层、发光层以及空穴运输层在内的有机层；在所述有机层上成膜形成阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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