[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201410156191.0 | 申请日： | 2011-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103903980B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 篠田智则;若山洋司 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/78;C09J133/08;C09D163/02;C09D163/00;C09J11/04;C09J11/06;C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 刘宗杰,巩克栋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法，其课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分（A）、固化性成分（B）和吸杂剂（C）。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 树脂 形成 用片材 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片用树脂膜形成用片材，其具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)和吸杂剂(C)，吸杂剂(C)选自由重金属钝化剂(C1)和铜离子捕获金属化合物(C3)组成的组，每100重量份构成所述树脂膜形成层的总固形物含有1～35重量份的吸杂剂(C)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
