[发明专利]用于衬底分离的裂纹控制有效
| 申请号： | 201410156463.7 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112690B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;郑政玮;D·K·萨达那;K·L·森格尔;徐崑庭 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 贺月娇,于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于衬底分离的裂纹控制。一种分离用于转移的层的方法包括在衬底上形成裂纹引导层以及在所述裂纹引导层上形成器件层。通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层。在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/所述或界面引发裂纹。通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 分离 裂纹 控制 | ||
【主权项】：
一种分离用于转移的层的方法，包括：在衬底上形成裂纹引导层；在形成所述裂纹引导层之后，在所述裂纹引导层上形成器件层；通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层；在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/或所述界面引发裂纹；以及通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
