[发明专利]用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法有效
申请号: | 201410156717.5 | 申请日: | 2014-04-18 |
公开(公告)号: | CN104112729B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | G.拉克纳;M.奥托维茨;K.施雷特林格;C.冯科布林斯基 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/16 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 马丽娜,胡莉莉 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法。公开了一种用于将半导体芯片连接到载体衬底的金属层的方法。提供半导体芯片,其具有第一侧、与第一侧相对的第二侧、接合到半导体芯片的第二侧并且包括至少一个开口的玻璃衬底,以及布置在玻璃衬底的开口中并且电接触半导体芯片的第二侧的金属化区,所述至少一个开口使半导体芯片的第二侧的区域不被玻璃衬底覆盖。将具有接合的玻璃衬底的半导体芯片带到载体衬底的金属层上。在载体衬底的金属层与金属化区之间形成牢固的机械和电连接。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 具有 玻璃 衬底 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种用于将半导体芯片连接到载体衬底的金属层的方法,包括:提供包括第一侧、与第一侧相对的第二侧的半导体芯片、接合到半导体芯片的第二侧并且包括至少一个开口的玻璃衬底,以及布置在玻璃衬底的开口中并且电接触半导体芯片的第二侧的金属化区,所述至少一个开口使半导体芯片的第二侧的区域不被玻璃衬底覆盖;提供包括金属层的载体衬底;将导电接合材料带到载体衬底的金属层和玻璃衬底的开口中的金属化区中的至少一个上;使用布置在金属化区和金属层之间的导电接合材料来将具有接合的玻璃衬底的半导体芯片放置在载体衬底的金属层上;以及通过导电接合材料在金属层与金属化区之间形成牢固的机械和电连接。
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