[发明专利]一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410157665.3 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103943700A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李景灵;高芳亮;管云芳;温雷;张曙光 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。本发明还公开上述生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜的制备方法，GaAs缓冲层和InGaAsN外延层薄膜均采用分子束外延生长方法。本发明得到的InGaAsN薄膜表面平整、成分均匀，带宽为1eV，对半导体器件领域，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 gaas 衬底 ingaasn 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜，其特征在于，包括生长在GaAs衬底上的GaAs缓冲层、生长在GaAs缓冲层上的InGaAsN外延层薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
