[发明专利]一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法有效

专利信息
申请号: 201410158183.X 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN104134604A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 徐军;刘亚琪;王朋博;袁明艺;饶先拓;陈莉;朱瑞 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01J37/06 分类号: H01J37/06;H01J1/304
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种场发射电子源电子束发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括:真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、电子枪组件、电源系统、电子束成像系统、电子束偏转系统和探测与采集系统。本发明在电子束的路径上安装两个垂直方向的偏转磁场,控制电子束从边缘至中心依次扫描通过荧光屏上的小孔,从而获得电子束束斑形状、电子束束斑中心束束流强度、束流密度、角电流密度等、电子束发射稳定度等重要的场发射电子源电子束发射性能定量参数,获得上述电子源电子发射的定量化参数,为评价场发射电子源性能,优化场发射电子源制备工艺,完善场发射电子源制备平台提供定量依据。
搜索关键词: 一种 发射 电子 电子束 性能 评测 装置 及其 方法
【主权项】:
一种场发射电子源电子束发射性能评测装置,其特征在于,评测装置包括:真空腔室(1)、真空抽气系统(2)、真空度测量系统(3)、电子枪组件(4)、电源系统(5)、电子束成像系统(6)、电子束偏转系统(7)和电子束束流探测与采集系统(8);其中,所述真空腔室(1)的表面分别通过法兰口连接真空抽气系统(2)和真空度测量系统(3);所述电子枪组件(4)通过电子枪法兰口(40)安装在真空腔室(1)内,并通过导电引线与真空腔室外部的电源系统(5)相连接;在真空腔室的表面与电子枪组件相对,通过观察窗法兰口(60)安装电子束成像系统(6);在真空腔室外,并且位于电子枪组件(4)与电子束成像系统(6)之间,设置电子束偏转系统(7);所述电子束成像系统(7)连接至电子束束流探测与采集系统(8)。
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