[发明专利]用于氟化物熔盐的Ni/NiF2参比电极及制作方法

摘要

本发明公开一种用于高温氟化物熔盐体系的Ni/NiF₂参比电极及其制作方法。Ni/NiF₂参比电极包括一镍丝电极、一绝缘套管和一用于密封所述的绝缘套管的密封塞；绝缘套管的底部装有参比盐；镍丝电极固定于密封塞，镍丝电极的一端穿过密封塞延伸入所述的绝缘套管中，且浸在参比盐中；所述的绝缘套管的外侧壁上设有一弧形凹槽，弧形凹槽的底部设有一通孔；弧形凹槽的表面粗糙度Ra＜12.5μm，曲率半径≥2mm；通孔的直径为0.05-0.3mm，深度为0.3-2.0mm。本发明Ni/NiF₂参比电极，离子导通时间短、电极电位具有较好的重现性及稳定性。

主权项

一种用于高温氟化物熔盐体系的Ni/NiF₂参比电极，其特征在于，其包括一镍丝电极、一绝缘套管和一用于密封所述的绝缘套管的密封塞；所述的绝缘套管的底部装有参比盐；所述的镍丝电极固定于所述的密封塞，所述的镍丝电极的一端穿过所述的密封塞延伸入所述的绝缘套管中，且浸在所述的参比盐中；所述的绝缘套管的外侧壁上设有一弧形凹槽，所述的弧形凹槽的底部设有一通孔，所述的通孔作为所述参比盐的盐桥，使所述的参比盐与所述参比电极外的高温氟化物熔盐实现离子导通；其中，所述的弧形凹槽的表面粗糙度Ra<12.5μm，所述的弧形凹槽的曲率半径≥2mm，所述的通孔的直径为0.05‑0.3mm，所述的通孔的深度为0.3‑2.0mm。