[发明专利]低反向漏电流的单向瞬态电压抑制芯片在审
| 申请号： | 201410158278.1 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103972273A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 管国栋;孙玉华 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低反向漏电流的单向瞬态电压抑制芯片，包括具有重掺杂P型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片，此绝缘钝化保护层内侧延伸至重掺杂N型区上表面的边缘区域，重掺杂N型区的中央区域覆盖作为负极的第一金属层，重掺杂P型区下表面覆盖作为阳极的第二金属层；所述重掺杂P型区与重掺杂N型区接触的上部区域且靠位于重掺杂P型区边缘的四周区域具有轻掺杂N型区，此轻掺杂N型区的上表面与重掺杂N型区的下表面接触，此轻掺杂N型区的外侧面与沟槽接触。本发明单向瞬态电压抑制芯片在隧道击穿模式下，降低漏电流中来自表面的漏电流，大大降低整个器件的反向漏电流，从而进一步降低了功耗，避免了器件的局部温升，提高了电路稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 反向 漏电 单向 瞬态 电压 抑制 芯片 | ||
【主权项】：
一种低反向漏电流的单向瞬态电压抑制芯片，包括表面具有重掺杂N型区（2）的重掺杂P型单晶硅片（1），此重掺杂N型区（2）与重掺杂P型单晶硅片（1）接触，重掺杂N型区（2）四周具有沟槽（4），此沟槽（4）位于重掺杂P型单晶硅片（1）和重掺杂N型区（2）四周并延伸至重掺杂P型单晶硅片（1）的中部；所述沟槽（4）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（5），此绝缘钝化保护层（5）由沟槽（4）底部延伸至重掺杂N型区（2）表面的边缘区域，重掺杂N型区（2）的表面覆盖作为电极的第一金属层（6），重掺杂P型区（1）表面覆盖作为另一个电极的第二金属层（7）；其特征在于：所述重掺杂P型单晶硅片（1）与重掺杂N型区（2）接触的上部区域且位于边缘的四周区域具有轻掺杂N型区（3），此轻掺杂N型区（3）的上表面与重掺杂N型区（2）的接触，此轻掺杂N型区（3）的外侧面与沟槽（4）接触。
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