[发明专利]具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法有效

专利信息
申请号: 201410158350.0 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN103904175A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 甄爱功;马平;张勇辉;田迎冬;郭恩卿;王军喜;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法,包含:在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层;在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶;在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜;光刻,在第一光刻胶上形成图形;以第一光刻胶作为掩膜,刻蚀p型氮化镓层,在p型氮化镓层上形成多孔状或柱状的光子晶体;在多孔状的光子晶体表面旋涂第二光刻胶;在第二光刻胶上制作第二单层纳米球薄膜;光刻,在第二光刻胶上形成图形;以第二光刻胶作为掩膜,刻蚀p型氮化镓层,在多孔状的光子晶体上形成具有波导结构的光子晶体;制作电极,完成正装结构的制作。
搜索关键词: 具有 波导 结构 光子 晶体 发光二极管 制作方法
【主权项】:
一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法,包含以下步骤:步骤1:在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层;步骤2:在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶;步骤3:在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜;步骤4:光刻,在第一光刻胶上形成图形;步骤5:以第一光刻胶作为掩膜,刻蚀p型氮化镓层,在p型氮化镓层上形成多孔状或柱状的光子晶体;步骤6:在多孔状的光子晶体表面旋涂第二光刻胶;步骤7:在第二光刻胶上制作第二单层纳米球薄膜;步骤8:光刻,在第二光刻胶上形成图形;步骤9:以第二光刻胶作为掩膜,刻蚀p型氮化镓层,在多孔状的光子晶体上形成具有波导结构的光子晶体;步骤10:制作电极,完成正装结构的制作。
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