[发明专利]一种高填充因子的有机薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201410158696.0 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN103928614A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 于军胜;施薇;李曙光;钟建 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 杨保刚
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种高填充因子的有机薄膜太阳能电池,属于有机半导体薄膜太阳能电池领域。本发明提供的太阳能电池采用正型结构,从下到上依次为衬底,透明导电阳极ITO,阳极缓冲层,极性缓冲层,光活性层,阴极缓冲层,金属阴极;所述极性缓冲层材料为如下质量百分比的混合物组成:N,N-二甲基甲酰胺87~93%,甲醇3~5%,聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)2~10%。本发明在阳极缓冲层与光活性层间加入一层极性缓冲层,能够有效地促进阳极缓冲层的相分离,降低电池的串联电阻,减少载流子复合几率,增加器件的填充因子,进而使器件的光电转换效率得到提高。
搜索关键词: 一种 填充 因子 有机 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种高填充因子的有机薄膜太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池采用正型结构,从下到上依次为:衬底,透明导电阳极ITO,阳极缓冲层,极性缓冲层,光活性层,阴极缓冲层,金属阴极;所述极性缓冲层质量百分比组成为:N,N‑二甲基甲酰胺87~93 %,甲醇3~5 %,聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸) (PEDOT:PSS)2~10%,所述极性缓冲层厚度范围为1~10 nm。
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