[发明专利]一种高填充因子的有机薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201410158696.0 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN103928614A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 于军胜;施薇;李曙光;钟建 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 杨保刚 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种高填充因子的有机薄膜太阳能电池,属于有机半导体薄膜太阳能电池领域。本发明提供的太阳能电池采用正型结构,从下到上依次为衬底,透明导电阳极ITO,阳极缓冲层,极性缓冲层,光活性层,阴极缓冲层,金属阴极;所述极性缓冲层材料为如下质量百分比的混合物组成:N,N-二甲基甲酰胺87~93%,甲醇3~5%,聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)2~10%。本发明在阳极缓冲层与光活性层间加入一层极性缓冲层,能够有效地促进阳极缓冲层的相分离,降低电池的串联电阻,减少载流子复合几率,增加器件的填充因子,进而使器件的光电转换效率得到提高。 | ||
搜索关键词: | 一种 填充 因子 有机 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高填充因子的有机薄膜太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池采用正型结构,从下到上依次为:衬底,透明导电阳极ITO,阳极缓冲层,极性缓冲层,光活性层,阴极缓冲层,金属阴极;所述极性缓冲层质量百分比组成为:N,N‑二甲基甲酰胺87~93 %,甲醇3~5 %,聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸) (PEDOT:PSS)2~10%,所述极性缓冲层厚度范围为1~10 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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