[发明专利]模制成型用脱模片无效
| 申请号： | 201410158990.1 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112693A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 佐藤健;市川贵胜;守屋祐一;望月敬史;山田友昭;高桥真一 | 申请（专利权）人： | 株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种模制成型用脱模片。使用以往的经过喷砂处理的脱模片，在喷砂处理时的制造过程所产生的残留在基材表面的粒状物接触引线框架，具有妨碍模制树脂密封到引线框架、发生模制树脂的树脂泄漏、半导体装置的产品成品率恶化的问题。因此，本发明的目的在于提供一种不妨碍模制树脂密封到引线框架、能够防止来自脱模片基材膜的低分子量成分附着到模型、没有模制树脂的树脂泄漏、且能够模制成型半导体装置的脱模片。本发明的脱模片是包含微粒的凹凸层、基材以及树脂层层叠的脱模片。所述微粒的含量优选是凹凸层的总质量的10质量%～85质量%，凹凸层的表面粗度Ra优选是0.2μm≤Ra≤2.5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 制成 脱模 | ||
【主权项】：
一种模制成型用脱模片，其特征在于，所述模制成型用脱模片在基材的一面形成有凹凸层，而在另一面形成有树脂层，所述凹凸层含有微粒子且表面是凹凸的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社巴川制纸所，未经株式会社巴川制纸所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410158990.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其制造方法
- 下一篇：横梁和用于处理衬底的设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
