[发明专利]一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法

摘要

稀磁半导体薄膜材料中会出现很多新奇的物理性质，而这些新奇的物理性质为新型自旋器件的研制提供了更广阔的空间，使其在磁感应器、高密度非易失性存储器、光隔离器、半导体激光器和自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，已成为材料领域中的研究热点之一。传统制备薄膜材料的方法有分子束外延法和金属有机物化学气相沉积等，它们都是平衡生长法，其弊端在于掺杂效率低、设备维护成本高、原材料价格昂贵、生产周期长以及尾气处理过程复杂等。本发明属于半导体技术领域，提供了一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法，具有掺杂效率高、制备成本低、生产周期短以及尾气处理简单等优点，可大大提高生产效率和经济效益。

主权项

一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法，其特征在于技术方案可分三步：第一步，利用激光分子束外延方法在蓝宝石衬底上生长GaN缓冲层；第二步，利用激光分子束外延方法在带有GaN缓冲层的蓝宝石衬底上生长GaMnN稀磁半导体薄膜材料；第三步，将原生的GaMnN稀磁半导体薄膜材料在生长室内进行原位退火。