[发明专利]一种催化反应器、系统、四氯化硅催化氢化反应的方法有效

专利信息
申请号: 201410159408.3 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN105080434B 公开(公告)日: 2018-02-27
发明(设计)人: 郭增昌;吕学谦;张兆东 申请(专利权)人: 新特能源股份有限公司
主分类号: B01J8/02 分类号: B01J8/02;C01B33/107
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 罗建民,邓伯英
地址: 830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁*** 国省代码: 新疆;65
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摘要: 发明公开了一种催化反应器、系统、四氯化硅催化氢化反应的方法,该催化反应器包括原料气入口和产品气出口,还包括片材,这些片材之间限定出依次相邻的气体通道一、催化剂装载通道、气体通道二,气体通道一与催化剂装载通道之间的片材上设置有至少一个第一通气孔,催化剂装载通道与气体通道二之间的片材上设置有至少一个第二通气孔,原料气使用气体通道一或气体通道二进行原料气分布,然后,原料气再以径向的方式通过装载有催化剂的催化剂装载通道后成为产品气,再进入另外一个气体通道,排出催化反应器。原料气以沿着催化剂装载通道径向通过,并充分与催化剂接触,当催化剂用量较大时,其承受率均匀、利用率高,且不易结焦失活,寿命大大延长。
搜索关键词: 一种 催化 反应器 系统 氯化 氢化 反应 方法
【主权项】:
一种四氯化硅催化氢化反应的方法,其特征在于,将原料气四氯化硅和氢气通过催化反应器进行催化氢化反应得到三氯氢硅,该催化反应器,包括原料气入口和产品气出口,还包括片材,这些片材之间限定出依次相邻的气体通道一、催化剂装载通道、气体通道二,所述气体通道一与所述催化剂装载通道之间的片材上设置有至少一个第一通气孔,所述催化剂装载通道与所述气体通道二之间的片材上设置有至少一个第二通气孔,原料气使用所述气体通道一或所述气体通道二进行所述原料气分布,然后,所述原料气再以径向的方式通过装载有催化剂的所述催化剂装载通道后成为产品气,再进入另外一个气体通道,排出催化反应器;所述催化反应器内的催化剂装载通道内装载有四氯化硅催化氢化反应的催化剂,所述催化剂为铜硅合金,所述铜硅合金中包括:22~25wt%的铜,73~76wt%的硅,所述催化反应器内的温度为300~550℃,所述催化反应器内的压强为0.4~0.6Mpa,所述催化氢化反应时所述原料气四氯化硅和氢气的混合气体在所述催化剂装载通道内的催化剂上的滞留时间为1~10秒。
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