[发明专利]一种低衰耗单模光纤

摘要

本发明涉及一种用于光通信传输系统的低衰耗单模光纤，包括有纤芯层、下陷包层和外包层，其特征在于纤芯层由折射率由高到低的三个芯层组成，所述的第一芯层半径R1为5μm~6.5μm，相对折射率差Δn1为0.25%~0.4%，所述的第二芯层半径R2为8μm~10μm，相对折射率差Δn2为0.15%~0.25%，所述的第三芯层半径R3为10.5μm~13μm，相对折射率差Δn3为-0.03%~0.15%，芯层外包覆下陷包层，所述的下陷包层半径R4为13μm~16μm，相对折射率差Δn4为-0.15%~0%，最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。本发明光纤在全面兼容G.652D标准的基础上，衰减性能要优于常规G.652D光纤，从而得到更长的无中继传输距离，减少中继站的建设，降低运营成本。

主权项

一种低衰耗单模光纤，包括有纤芯层、下陷包层和外包层，其特征在于纤芯层由折射率由高到低的三个芯层组成，所述的第一芯层半径 R1 为5μm~6.5μm，相对折射率差Δn1为 0.25%~0.4%，所述的第二芯层半径 R2 为8μm~10μm，相对折射率差Δn2为 0.15%~0.25%，所述的第三芯层半径 R3 为10.5μm ~13μm，相对折射率差Δn3为 ‑0.03%~0.15%，芯层外包覆下陷包层，所述的下陷包层半径 R4 为13μm ~16μm，相对折射率差Δn4为 ‑0.15%~0%，最外层是外包层，外包层为纯二氧化硅石英玻璃层。