[发明专利]腔室组件有效
| 申请号： | 201410160410.2 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097602B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 谢秋实 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 李芙蓉 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种腔室组件，包括平面线圈、反应腔室和进气组件，平面线圈位于反应腔室顶部盖板处；进气组件与反应腔室相连，用于向反应腔室内充入气体，进气组件中气体通入反应腔室的初速度方向与平面线圈产生的电场方向相交。本发明的腔室组件通过设置进气组件中气体通入反应腔室的初速度方向与平面线圈产生的电场方向相交，从而延长气体被电离后离子在反应腔室的运动轨迹及滞留时间，减少了到达晶圆表面的离子浓度，最终提高了光刻胶与硅材料的刻蚀选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 组件 | ||
【主权项】：
1.一种腔室组件，包括平面线圈、反应腔室和进气组件，所述平面线圈位于所述反应腔室顶部盖板处；所述进气组件与所述反应腔室相连，用于向所述反应腔室内充入气体，其特征在于：所述进气组件中气体通入反应腔室的初速度方向与所述平面线圈产生的电场方向相交，所述腔室组件还包括离子过滤组件，所述离子过滤组件一端与所述反应腔室内壁相连，位于所述进气组件的进气口下沿与晶圆之间；所述离子过滤组件另一端悬空设置，且设置有开口，所述开口直径大于等于所述晶圆直径，且小于所述反应腔室直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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