[发明专利]能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法在审
| 申请号： | 201410160542.5 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103928341A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 曾旭;高印;柯其勇 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人： | 曾耀先 |
| 地址： | 201508 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法，其主要是在准分子雷射回火过程中以低介电常数介质取代一般用作保温层的氧化硅层，藉低介电常数介质的低导热系数特性而确实提高保温效果，进而使非晶硅层充分熔融后再产生再结晶，藉此增大多晶硅层的晶粒大小，提高电子的迁移率及整体电晶体的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶粒 尺寸 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种能提高晶粒尺寸的多晶硅制造方法，其特征在于包含：沉积氮化硅层步骤A，于一玻璃基板上沉积形成一氮化硅层；沉积低介电常数介质步骤B，于该氮化硅层上沉积形成一低介电常数介质，该低介电常数介质的材料为介电常数小于或等于2.8的材料；沉积非晶硅层步骤C，于该低介电常数介质上沉积一非晶硅层；以及形成多晶硅层步骤D，熔解该非晶硅层，经冷却并再结晶成为多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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