[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410160807.1 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105097461B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,赵礼杰 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101提供包括伪栅极的前端器件，去除所述伪栅极，在所述伪栅极原来的位置形成包括钨栅极的栅极结构；步骤S102对所述钨栅极进行回刻蚀；步骤S103在所述钨栅极的上方形成至少一层钨‑氮化钨叠层结构；步骤S104在所述钨‑氮化钨叠层结构之上形成氮化硅盖帽层。本发明的半导体器件的制造方法，通过在对钨栅极进行回刻蚀的步骤与在钨栅极的上方形成氮化硅盖帽层的步骤之间增加在钨栅极的上方形成至少一层钨‑氮化钨叠层结构的步骤，可以提高钨栅极与氮化硅盖帽层之间的粘着力，避免发生氮化硅盖帽层剥离现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括伪栅极的前端器件，去除所述伪栅极，在所述伪栅极原来的位置形成包括钨栅极的栅极结构；步骤S102：对所述钨栅极进行回刻蚀，以去除一定厚度的所述钨栅极；步骤S103：在所述钨栅极的上方形成至少一层钨‑氮化钨叠层结构；步骤S104：在所述钨‑氮化钨叠层结构之上形成氮化硅盖帽层；其中，所述钨‑氮化钨叠层结构与钨栅极以及氮化硅盖帽层之间的粘结力大于所述钨栅极与所述氮化硅盖帽层之间直接接触的粘结力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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