[发明专利]薄膜沉积装置及薄膜沉积方法无效
申请号: | 201410161239.7 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN103898476A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 江润峰;曹威;戴树刚 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜沉积装置,包括晶舟,反应炉管和气体供给单元。晶舟包括多个支柱以及设置于所述多个支柱内周侧相互对应位置、用于保持所述多个硅片的外周侧的多个保持部。每一所述支柱的多个保持部配置为:各个相邻的所述保持部的间隔以第一间隔和第二间隔依次交替排列且间隔为所述第一间隔的两个相邻的保持部以待处理表面相对的方式保持所述硅片,所述第一间隔大于所述第二间隔。本发明能够有效提高膜厚均匀性。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜沉积装置,其特征在于,包括:可保持多个硅片的晶舟;容纳所述晶舟及其保持的所述多个硅片的反应炉管;以及向所述反应炉管内供给反应气体以对所述多个硅片的待处理表面进行薄膜沉积工艺的气体供给单元,其中,所述晶舟包括:多个支柱;设置于所述多个支柱内周侧相互对应位置、用于保持所述多个硅片的外周侧的多个保持部;每一所述支柱的多个保持部配置为:各个相邻的所述保持部的间隔以第一间隔和第二间隔依次交替排列且间隔为所述第一间隔的两个相邻的保持部以待处理表面相对的方式保持所述硅片,所述第一间隔大于所述第二间隔。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的