[发明专利]一种小尺寸图形的制作方法

摘要

本发明提供一种小尺寸图形的制作方法，包括首先，采用薄膜沉积工艺和刻蚀工艺形成大尺寸图形和第一小尺寸图形；然后，在第一小尺寸图形的基础上，再次采用薄膜沉积工艺和刻蚀工艺形成第二小尺寸图形，形成第二小尺寸图形包括在晶圆表面沉积一层氧化硅层；采用等离子体刻蚀工艺，刻蚀去除掉氮化硅侧墙顶部和底部的氧化硅层，在氮化硅侧墙的侧壁形成氧化硅侧墙；采用湿法刻蚀工艺，去除氮化硅侧墙，从而形成第二小尺寸图形。这样，由于采用了两次自对准工艺，从而实现了相比于传统小尺寸图形的尺寸更小的图形，提高了器件集成度，并且扩大了工艺窗口，降低了工艺难度。

主权项

一种小尺寸图形的制作方法，其特征在于，包括：步骤S01：依次在晶圆表面沉积硬介质层、多晶硅层、底部抗反射层和光刻胶；步骤S02：采用光刻和等离子体刻蚀工艺，依次刻蚀所述光刻胶、所述底部抗反射层和所述多晶硅层，在所述多晶硅层中形成大尺寸图形；步骤S03：在所述多晶硅层表面和所述硬介质层表面沉积一层氮化硅层；步骤S04：采用等离子体刻蚀工艺，刻蚀掉所述多晶硅层顶部和底部的所述氮化硅层，形成氮化硅侧墙；步骤S05：去除所述多晶硅层，从而形成第一小尺寸图形；步骤S06：在所述晶圆表面沉积一层氧化硅层；位于氮化硅侧墙侧壁的氧化硅层的水平厚度小于氮化硅侧墙的厚度；步骤S07：采用等离子体刻蚀工艺，刻蚀去除掉所述氮化硅侧墙顶部和底部的所述氧化硅层，在所述氮化硅侧墙的侧壁形成氧化硅侧墙；并且氧化硅侧墙的厚度小于氮化硅侧墙的厚度；步骤S08：采用湿法刻蚀工艺，去除所述氮化硅侧墙，从而形成第二小尺寸图形。