[发明专利]碳化硅膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅膜的制备方法，包括有以下步骤1)选择Si基片为衬底材料，首先使用酒精超声，然后在混合液中清洗，然后在以体积比HFH2O＝150混合液中清洗，最后用去离子水冲洗，用氮气将衬底吹干放入腔体内；2)使腔体的真空度保持在10Pa，向腔体内通入高纯的Ar气，再调节压强，使腔体内的压强为10000Pa，同时设置衬底材料升温；3)在设定温度下保温，再通入Ar气将六甲基二硅烷带入腔体内；4)停止通入Ar气和六甲基二硅烷，保持腔体的真空度在10Pa左右，并冷却至室温。本发明具有以下有益效果本发明降低了制备温度，提高了生长速率；降低了环保成本，提高了安全生产指数。

主权项

碳化硅膜的制备方法，包括有以下步骤：1)选择Si基片为衬底材料，首先使用酒精超声，然后在以体积比NH3·H2O:H2O2:H2O＝1:1:5混合液中清洗，然后在以体积比HF:H2O＝1:50混合液中清洗，最后用去离子水冲洗，用氮气将衬底材料吹干放入腔体内；2)使腔体的真空度保持在10Pa，向腔体内通入高纯的Ar气，再调节压强，使腔体内的压强为10000Pa，同时设置衬底材料升温的程序为90min从室温升到设定温度；所述的Ar气的流速为200‑2000sccm；所述衬底材料的设定温度为大于等于800小于900℃；3)在设定温度下保温，再通入Ar气将六甲基二硅烷带入腔体内，调节腔体压强为2000Pa，通入六甲基二硅烷的时间为30min；六甲基二硅烷的流速为5‑20sccm；4)停止通入Ar气和六甲基二硅烷，保持腔体的真空度在10Pa左右，并冷却至室温。