[发明专利]垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201410162765.5 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103996713B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王超;黄如;吴春蕾;黄芊芊;赵阳 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 朱红涛 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管及制备方法，所述隧穿晶体管包括热电子发射源区，隧穿源区，沟道区，隧穿漏区，以及纳米线的栅；控制栅环绕于沟道，带带隧穿发生在隧穿源区与沟道交界面处，在隧穿源区下方存在一个与隧穿源区掺杂类型相反的热电子发射源区；并且隧穿源区电位浮置，器件的源端电位加在热电子发射源区。与现有的TFET相比，垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管通过器件结构设计，在隧穿机制外，引入了热电子发射机制，有效增大了器件导通电流，同时保持了陡直的亚阈值斜率，显著改善了器件特性。本发明的垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管制备工艺简单，极大地降低了生产成本，简化了工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 双机 制导 纳米 线隧穿 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直沟道双机制导通纳米线隧穿晶体管，包括热电子发射源区(9)，隧穿源区(3)，沟道区(2)，隧穿漏区(1)，以及纳米线的栅(4)；栅环绕于沟道区，其特征是，带带隧穿发生在隧穿源区(3)与沟道区(2)交界面处，在隧穿源区(3)下方存在一个与隧穿源区掺杂类型相反的热电子发射源区(9)，且隧穿源区(3)与热电子发射源区(9)直接相连；并且隧穿源区电位浮置，器件的源端电位加在热电子发射源区；对于N型器件来说，热电子发射源区为N型重掺杂，隧穿源区为P型重掺杂，隧穿漏区为N型重掺杂，沟道区为P型轻掺杂；而对于P型器件来说，热电子发射源区为P型重掺杂，隧穿源区为N型重掺杂，隧穿漏区为P型重掺杂，沟道区为N型轻掺杂。
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