[发明专利]一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过采用SiCoNi刻蚀去除位于半导体衬底表面的自然氧化硅层，可以减轻刻蚀负载效应，保证形成的锗硅层的尺寸和形貌基本相同，因此可以提高半导体器件的良率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的NMOS区和PMOS区分别形成包括栅极和栅极硬掩膜的栅极结构；步骤S102：形成覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的第一遮蔽材料层；步骤S103：对所述第一遮蔽材料层进行刻蚀以在PMOS的栅极结构的两侧形成锗硅临时侧壁；步骤S104：对所述半导体衬底执行SiCoNi刻蚀以去除位于所述半导体衬底表面的自然氧化硅层；步骤S105：在所述半导体衬底内形成位于PMOS的栅极两侧的用于容置锗硅层的沟槽，所述沟槽的尺寸和深度基本相同；步骤S106：在所述沟槽内形成锗硅层，在所述步骤S102中，还形成位于所述第一遮蔽材料层下方且覆盖所述半导体衬底以及所述栅极结构的第二遮蔽材料层，其中所述第二遮蔽材料层的材料为氧化物；并且，在所述步骤S104中，通过所述SiCoNi刻蚀去除所述第二遮蔽材料层未被所述锗硅临时侧壁所覆盖的部分。