[发明专利]配线基板的处理方法以及使用该方法制造的配线基板有效
| 申请号： | 201410163190.9 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104120427B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 铃木智子;田代宪史;内藤幸英;一乡亚加梨 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;菱江化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种配线基板的处理方法以及使用该方法制造的配线基板。本发明的配线基板的处理方法包括在半加成法中，使包含作为晶种层的无电解铜和作为配线图案的电解铜的基板接触包含氯离子的蚀刻前处理用液体组合物的第一工序；以及，接着，利用包含过氧化氢、硫酸、四唑类、氯离子、铜离子和水的蚀刻用液体组合物对前述已处理的配线基板进行蚀刻处理的第二工序。 | ||
| 搜索关键词： | 配线基板 处理 方法 以及 使用 制造 | ||
【主权项】：
一种配线基板的处理方法，其包括：在半加成法中，使包含作为晶种层的无电解铜和作为配线图案的电解铜的配线基板接触包含(a)氯离子和(b)水的蚀刻前处理用液体组合物的第一工序；以及接着，利用包含(c)过氧化氢、(d)硫酸、(e)四唑类、(f)氯离子、(g)铜离子和(h)水的蚀刻用液体组合物对已处理的配线基板进行蚀刻处理的第二工序。
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