[发明专利]高压场效应晶体管器件有效
| 申请号： | 201410163397.6 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104299993B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫俄依恩扎 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成都市成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种高压场效应晶体管器件。所述高压场效应晶体管器件包括衬底、外延层、源极区、漏极区、漂移区、源极接触区、漏极接触区、源极电极、漏极电极和螺旋多晶硅结构，其中所述螺旋多晶硅结构具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏极电极，其最外端耦接至参考地。所述高压场效应晶体管器件能通过更小的整体芯片面积提供准确的漏极电压信息。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种高压场效应晶体管器件，包括：衬底，具有第一掺杂类型；外延层，形成在衬底之上；源极区，形成在外延层内，具有第二掺杂类型；漏极区，形成在外延层内，具有第二掺杂类型；漂移区，形成在源极区和漏极区之间，具有第二掺杂类型；连接区，形成在外延层内，具有第一掺杂类型；连接接触区，形成在连接区内，具有第一掺杂类型；连接电极，与连接区接触；源极接触区，形成在源极区内，具有第二掺杂类型；漏极接触区，形成在漏极区内，具有第二掺杂类型；源极电极，与源极接触区接触；漏极电极，与漏极接触区接触；螺旋多晶硅结构，形成在漂移区之上，所述螺旋多晶硅结构具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏极电极，其最外端耦接至参考地；以及多个攻丝，形成在螺旋多晶硅结构最外一圈的边缘，其中所述多个攻丝中的一个攻丝被引出，以提供表征高压场效应晶体管器件漏极电压的电压检测信号给低压电路。
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