[发明专利]降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法有效
| 申请号： | 201410163504.5 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943483B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周军;贺忻 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，包括：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；第一次沉积第一厚度的镍和氮化钛；使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的镍、氮化钛和硅化物阻挡层；第二次沉积第二厚度的镍；进行第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 多晶 栅极 活化 区镍硅化物 厚度 方法 | ||
【主权项】：
一种降低多晶硅栅极与活化区镍硅化物厚度比的方法，其特征在于包括依次执行：第一步骤：在形成多晶硅栅极和活化区的硅片上，首先使用活化区的光罩通过光刻刻蚀打开活化区的硅化物阻挡层；第二步骤：第一次沉积第一厚度的镍和氮化钛；第三步骤：使用包含多晶硅栅极的光罩通过光刻刻蚀打开包含多晶硅栅极区域的镍、氮化钛和硅化物阻挡层；第四步骤：第二次沉积第二厚度的镍；第五步骤：进行第一温度退火，通过湿法清洗去除硅片上未反应的镍，再进行第二温度退火，最终在多晶硅栅极和活化区形成低阻的镍硅化物；其中，第一温度为220‑330℃；第二温度为380‑550℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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