[发明专利]一种CdSxSey光电材料的制备方法有效
申请号: | 201410163697.4 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN103904167A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 钟福新;王伟;黎燕;莫德清;王丹宇;王苏宁;朱义年 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C01B19/00;C03C17/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。(1)向5mL0.04~0.05mol/LNa2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349gKBH4,水浴30~40℃下,搅拌得A溶液。(2)向5mL0.04~0.05mol/LCd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。(3)A溶液与B溶液混合,再加入0.0152~0.0229gCH4N2S溶解,得C溶液。(4)C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时,得CdSxSey胶体,其中x=0.43~0.48,y=0.52~0.57;(5)将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶,导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质,采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面,涂沫时间1分钟;重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染,所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 cds sub se 光电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CdSxSey光电材料的制备方法,其中x=0.43~0.48,y= 0.52~0.57,其特征在于具体步骤为: (1)向5mL浓度为0.04~0.05mol/L Na2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349g KBH4,水浴30~40℃下磁力搅拌5~6分钟配制成A溶液,控制 Na2SeO3与 KBH4摩尔比=1:10;(2)向5mL浓度为0.04~0.05mol/L Cd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液,控制Cd(NO3)2与柠檬酸摩尔比=1:1;(3)在磁力搅拌下A溶液与B溶液完全混合均匀,控制Se:Cd摩尔比为1:1,再加入0.0152~0.0229g CH4N2S溶解,即得C溶液;(4)将步骤(3)所得C溶液转入水热反应釜中,在120~160℃恒温箱中反应8~10小时,然后冷却到室温,即得CdSxSey胶体;(5)将步骤(4)所得CdSxSey胶体置于0℃冰水浴中作为冷凝胶,导电玻璃ITO在90℃烘箱中热处理20分钟作为热物质,采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面,涂沫时间1分钟;(6)重复步骤(5)2~5次,即制得CdSxSey光电材料,其中x=0.43~0.48,y= 0.52~0.57。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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