[发明专利]一种球状CdSe/Cu2O异质结材料制备方法在审
申请号: | 201410163723.3 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN103924277A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 钟福新;王丹宇;莫德清;王伟;黎燕;王苏宁;朱义年 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C25D9/08 | 分类号: | C25D9/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。(1)将1.2800g~1.7067gCdSO4、0.0115g~0.0128gH2SeO3、0.9g~1.9gNa2SO4和100mL水混合,置于30℃~50℃水浴中;(2)以ITO导电玻璃为阴极,高纯铂片为阳极,放入上述溶液中,在1.9V~2.4V直流电压下沉积30~50分钟,制得CdSe薄膜;(3)将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合,用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10,置于40℃~50℃水浴中;(4)以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极,高纯铂片为阳极,放入步骤(3)电解液中,在1.2V~1.5V直流电压下沉积5~10分钟。本发明采用两次电化学沉积法,简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。 | ||
搜索关键词: | 一种 球状 cdse cu sub 异质结 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法,其特征在于具体步骤:(1)将1.2800g~1.7067g CdSO4、0.0115g~0.0128g H2SeO3、0.9g~1.9g Na2SO4和100mL水混合,置于30℃~50℃水浴中;(2)以ITO导电玻璃为阴极,高纯铂片为阳极,放入步骤(1)所得溶液中,在1.9V~2.4V直流电压下沉积30~50分钟,制得CdSe薄膜;(3)将20mL浓度为 3mol/L乳酸溶液和20mL浓度为 0.4mol/L CuSO4溶液混合,并用浓度为4mol/L 的NaOH调节pH值为9‑10,置于40℃~50℃水浴中,制得电解液;(4)以沉积有步骤(2)所得CdSe薄膜的ITO为阴极,高纯铂片为阳极,放入步骤(3)所得电解液中,在1.2V~1.5V直流电压下沉积5~10分钟,即制备出球状CdSe/Cu2O异质结材料。
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