[发明专利]一种采用温度模型进行曲线拟合的方法有效
| 申请号： | 201410164079.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104021239B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 商干兵;俞柳江;范茂成;程嘉 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用温度模型进行曲线拟合的方法，涉及半导体特性表征或建模领域。该方法为分别测量器件在预设温度范围内的各种特性曲线；根据所述特性曲线，计算各种特性指标的温度系数；根据所述温度系数建立温度效应模型；根据所述温度效应模型对所述器件的特性曲线进行曲线拟合，获得曲线拟合精度；判断拟合后的曲线拟合精度是否在所述器件的测试特性曲线预设精度范围内，若是，结束；若否，则调整所述温度系数建立温度效应模型。本发明通过对测量器件在预设温度范围内的特性曲线，使得器件在温度为‑40℃～125℃下的器件曲线拟合更为准确,大幅度提高器件模型在高低温条件下工作的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 温度 模型 进行 曲线拟合 方法 | ||
【主权项】：
一种采用温度模型进行曲线拟合的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.分别测量器件在预设温度范围内的特性曲线；步骤2.根据所述特性曲线，获取温度系数；步骤3.根据所述温度系数建立温度效应模型；步骤4.根据所述温度效应模型进行仿真获得所述器件的特性曲线，将所述特性曲线与所述器件的测试曲线进行比较，获得曲线拟合精度；步骤5.判断拟合后的曲线拟合精度是否在所述器件的测试特性曲线预设精度范围内，若是，结束；若否，执行步骤3；其中，步骤1中所述特性曲线包括：MOS管的转移特性曲线、MOS管输出特性曲线、跨导特性曲线、输出电阻、输出电导特性曲线和栅电流特性曲线；步骤2中所述温度系数为：阈值电压温度系数、线性电流温度系数、饱和电流温度系数、泄漏电流温度系数、跨导温度系数、输出电阻温度系数、电导温度系数和栅电流温度系数。
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