[发明专利]一种消除有源区损伤的多晶硅刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种消除有源区损伤的多晶硅刻蚀方法，涉及半导体制造领域。该方法为以所述光阻为掩膜，采用四氟化碳气体对一部分所述抗反射涂层进行刻蚀；以所述光阻为掩膜，采用选择刻蚀方式对剩余的所述抗反射涂层进行刻蚀；以所述光阻为掩膜，采用等离子体依次对硬掩膜层和多晶硅进行刻蚀，形成多晶硅栅极，从而消除有源区损伤。本发明通过将多晶硅刻蚀中抗反射涂层刻蚀分为普通刻蚀和选择比刻蚀两步，从而避免了因图形缺陷引起的，多晶硅刻蚀造成的低密度有源区的损伤，提高了器件的性能和良率。

主权项

一种消除有源区损伤的多晶硅刻蚀方法，提供一多晶硅刻蚀结构的半导体结构，所述半导体结构包括有源区和浅沟槽，所述有源区与所述浅沟槽间隔排列，在所述有源区和所述浅沟槽上依次设置有多晶硅、硬掩膜层、抗反射涂层和光阻，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.以所述光阻为掩膜，采用四氟化碳气体对一部分所述抗反射涂层进行刻蚀；采用气压为3mT‑5mT，偏压为300V‑500V的四氟化碳气体对450埃‑500埃的所述抗反射涂层进行刻蚀；所述四氟化碳气体的流量为：100sccm‑150sccm；步骤2.以所述光阻为掩膜，采用选择刻蚀方式对剩余的所述抗反射涂层进行刻蚀；采用气压为8mT‑10mT，偏压为80V‑100V的氯气、氧气或氦气对剩余的所述抗反射涂层进行刻蚀；步骤3.以所述光阻为掩膜，采用等离子体依次对硬掩膜层和多晶硅进行刻蚀，形成多晶硅栅极，从而消除有源区损伤；其中，所述氯气的流量为：20sccm‑40sccm；所述氧气的流量为：20sccm‑40sccm；所述氦气的流量为：60sccm‑80sccm。