[发明专利]防止铝尖楔的成膜工艺方法

摘要

本发明公开了一种防止铝尖楔的成膜工艺方法，包括步骤：(1)在硅片上，进行硅接触通孔刻蚀；(2)在硅片表面、硅接触通孔的侧壁和底部，形成第一铝硅铜膜，并将硅片冷却至室温；(3)对第一铝硅铜膜进行刻蚀；(4)在第一铝硅铜膜表面上，形成第二铝硅铜膜；(5)金属铝硅铜的刻蚀。本发明的成膜工艺方法，有效的降低成膜前硅接触底扩散作用，防止形成Al尖楔，从而防止器件失效。

主权项

1.一种防止铝尖楔的成膜工艺方法，其特征在于，包括步骤：（1）在硅片上，进行硅接触通孔刻蚀；（2）在硅片表面、硅接触通孔的侧壁和底部，形成第一铝硅铜膜，并将硅片冷却至室温；成膜时间短，铝膜与SiO2反应的量少，在高温下虽有部分生成的硅被铝溶解，但是硅在铝中的溶解度非常小，降温时已经饱和，并且有部分Si 析出，从而防止预成膜的铝硅铜继续与Si互溶；（3）对第一铝硅铜膜进行刻蚀，刻蚀的厚度根据第一铝硅铜膜所形成的表面氧化铝的厚度而定，为10～500Å，去除表面氧化铝；（4）在第一铝硅铜膜表面上，形成第二铝硅铜膜；再次铝硅铜成膜时，成膜时间减少，并且底层预成膜的存在已经包覆住后续的热铝，加之预成膜的铝膜中有析出Si的存在，也有效的阻止高温下热铝对Si的溶解；（5）金属铝硅铜的刻蚀。