[发明专利]太阳能电池和制造该太阳能电池的方法有效

专利信息
申请号: 201410165536.9 申请日: 2014-04-23
公开(公告)号: CN104124302B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 崔敏镐;朴铉定;崔正薰 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/06 分类号: H01L31/06;H01L31/18;H01L31/20
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 吕俊刚,刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种太阳能电池和制造该太阳能电池的方法。该太阳能电池包括半导体基板;隧穿层,该隧穿层在半导体基板的一个表面上;第一导电类型区域,该第一导电类型区域在隧穿层上;第二导电类型区域,该第二导电类型区域在隧穿层上,使得第二导电类型区域与第一导电类型区域分开;以及阻挡区域,该阻挡区域插入在第一导电类型区域与第二导电类型区域之间,使得阻挡区域将第一导电类型区域与第二导电类型区域分开。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:半导体基板,该半导体基板包括第一导电类型掺杂物;隧穿层,该隧穿层在所述半导体基板的一个表面上;第一导电类型半导体区域,该第一导电类型半导体区域包括所述第一导电类型掺杂物并且被设置在所述隧穿层上;第二导电类型半导体区域,该第二导电类型半导体区域包括与所述半导体基板相反的第二导电类型掺杂物,并且第二导电类型半导体区域在所述隧穿层上,使得所述第二导电类型半导体区域与所述第一导电类型半导体区域分开;以及阻挡区域,该阻挡区域插入在所述第一导电类型半导体区域与所述第二导电类型半导体区域之间,使得所述阻挡区域将所述第一导电类型半导体区域与所述第二导电类型半导体区域分开,其中,所述第一导电类型半导体区域、所述第二导电类型半导体区域和所述阻挡区域包括相同的半导体材料,其中,所述阻挡区域的宽度小于所述第一导电类型半导体区域的宽度,所述第一导电类型半导体区域的宽度小于所述第二导电类型半导体区域的宽度。
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