[发明专利]基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法无效
| 申请号： | 201410166271.4 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103898506A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 姜腾;许晟瑞;郝跃;张进成;张金风;林志宇;雷楠;陆小力 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C16/18;C23C14/24;C23C16/34;H01L21/20;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlN纳米线生长中工艺复杂、生长效率低、方向一致性差的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层1-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlN纳米线。本发明具有工艺简单，高生长效率，高质量的优点，可用于制作高性能极性AlN纳米器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 极性 aln 纳米 线材 料及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于m面GaN上的极性AlN纳米线材料，自下而上包括m面GaN衬底层(1)和极性AlN纳米线层(3)，该极性AlN纳米线层(3)中含有若干条平行于衬底、方向一致且长度不等的纳米线，其特征在于在m面GaN衬底层(1)与极性AlN纳米线层(3)之间设有1‑20nm厚的TiN层。
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