[发明专利]基于外延工艺的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410166386.3 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN104078515A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;杨帅;汤晓燕;张艺蒙;贾仁需;张玉明;王悦湖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/265 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于外延工艺的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件及其制造方法，所述碳化硅SBD器件包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N-外延层、二次P+外延层、三次N-外延层、N+衬底区、欧姆接触区，其中，所述沟槽与二次P+外延层上下对齐，形状相同，或者与非二次P+外延层区，上下对齐，形状相同。本发明集合了沟槽式碳化硅SBD和和浮动结碳化硅SBD的优点，提高了击穿电压，降低了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 外延 工艺 沟槽 浮动 碳化硅 sbd 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于外延工艺的沟槽式浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、二次P+外延层、三次N‑外延层、N+衬底区、欧姆接触区，其中，所述沟槽与二次P+外延层上下对齐，形状相同，或者与非二次P+外延层区上下对齐，形状相同。
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