[发明专利]具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件

摘要

本发明涉及一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+离子注入区处于二次N‑外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与P+离子注入区上下对齐，形状相同，浮动结采用圆形、六棱形或方形的块状埋层。本发明具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，该器件既有沟槽式碳化硅SBD肖特基接触面积大，正向导通电流大的优点，又有浮动结碳化硅SBD击穿电压大的优点。

主权项

一种具有块状沟槽和埋层的浮动结碳化硅SBD器件，其特征在于，其包括金属、SiO2隔离介质、沟槽、一次N‑外延层、P+离子注入区、二次N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，金属和SiO2隔离介质位于二次N‑外延层上方，金属和SiO2隔离介质相邻，且金属与和SiO2隔离介质有相重合之处，沟槽位于金属下方，二次N‑外延层的表面；所述P+离子注入区处于一次N‑外延层的表面，沟槽与P+离子注入区上下对齐，形状相同，或者与非P+离子注入区上下对齐，形状相同，浮动结采用圆形、六棱形或方形的块状埋层，所述一次N‑外延层位于所述N+衬底之上，厚度为5～15μm，所述二次N‑外延层位于所述一次N‑外延层上方，厚度是5～15μm，所述一次N‑外延层和所述二次N‑外延层的总厚度为20μm，所述沟槽的深度为1～3μm。