[发明专利]带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法有效
| 申请号： | 201410166459.9 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103928524B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;蒋明伟;汤晓燕;张艺蒙;贾仁需;王悦湖;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法，该碳化硅UMOSFET器件包括栅极、多晶硅、槽栅介质、源极、源区接触、p‑外延层、N‑漂移层台面、N‑漂移层、N+衬底和漏极，其中，所述N‑漂移层台面设置在所述槽栅介质SiO2和N‑漂移层之间，所述N‑漂移层台面两侧为P‑外延层；所述N‑漂移层台面宽度小于多晶硅的宽度；N‑漂移层台面与所述N‑漂移层的掺杂浓度相同，为氮离子掺杂浓度为1×1015cm‑3～6×1015cm‑3的N型碳化硅外延层。本发明碳化硅PN结界面可以代替SiO2和碳化硅界面承受更高的耐压，这样增加了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 漂移 台面 碳化硅 umosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件，其特征在于，其包括栅极、多晶硅、槽栅介质、源极、源区接触、P‑外延层、N‑漂移层台面、N‑漂移层、N+衬底和漏极，其中，所述N‑漂移层台面设置在所述槽栅介质SiO2和N‑漂移层之间，所述N‑漂移层台面两侧为P‑外延层；所述N‑漂移层台面宽度小于多晶硅的宽度；N‑漂移层台面与所述N‑漂移层的掺杂浓度相同，为氮离子掺杂浓度为1×1015cm‑3～6×1015cm‑3的N型碳化硅外延层。
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