[发明专利]R-T-B系永久磁铁有效

专利信息
申请号: 201410166833.5 申请日: 2014-04-24
公开(公告)号: CN104124018A 公开(公告)日: 2014-10-29
发明(设计)人: 桥本龙司;铃木健一;崔京九 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F1/057 分类号: H01F1/057
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较,不会显著降低磁特性,并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中,通过交替地层叠R1-T-B和(Y、La)-T-B,从而形成R1-T-B系结晶层和(Y、La)-T-B系结晶层的层叠构造,一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到(Y、La)-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将(Y、La)-T-B系结晶层的稀土类元素设为Y和La这2个元素,从而缓和层叠构造整体的晶格畸变,并得到高的剩余磁通密度。
搜索关键词: 永久磁铁
【主权项】:
一种R‑T‑B系永久磁铁,其特征在于,具有R‑T‑B系的构造,层叠有R1‑T‑B系结晶层和(Y、La)‑T‑B系结晶层,其中,R1是不包含Y、La的稀土类元素中的至少一种,T为以Fe为必须或者以Fe和Co为必须的一种以上的过渡金属元素。
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