[发明专利]一种纯钴渗硼硅处理方法在审
| 申请号： | 201410167986.1 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103952662A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 慕东;何茗;刘源;沈保罗 | 申请（专利权）人： | 成都工业学院 |
| 主分类号： | C23C12/02 | 分类号： | C23C12/02 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 610041*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纯钴渗硼硅处理方法，可以制得具有硼硅渗层的钴片，抗高温氧化试验结果显示渗硼硅纯钴试样抗高温氧化性优于未渗硼硅后纯钴试样，并且耐磨性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯钴渗硼硅 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种纯钴渗硼硅处理方法，其特征在于包括以下步骤：步骤一，试样表面处理采用99.95wt％纯钴，经线切割加工成10mm×10mm×10mm的试样，将该试样表面经600号砂纸打磨并抛光处理；步骤二，渗硼硅处理将步骤一所制的纯钴试样用乙醇除油清洗；将清洗过的纯钴放置在渗剂中，所述纯钴和渗剂的质量比约为1：10‑20，并密封在钢制渗箱中，将渗箱放入加热炉内，处理参数分别为850℃下保温2h、4h、6h、8h，900℃下保温2h、4h、6h、8h，950℃下保温2h、4h、6h、8h，之后随炉冷却到室温取出既得具有硼硅渗层的钴片，所述渗层的内层为硼化物层，外层为硅化物层。
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