[发明专利]抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法

摘要

一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区，沟道区，漏区以及位于沟道上方的控制栅，隧穿源区为III-V族化合物半导体混合晶体，该混合晶体的混晶比沿垂直器件表面方向连续变化，隧穿源区与沟道交界面处的异质隧穿结的能带结构沿垂直器件表面方向是渐变的；在器件表面处为交错型异质结隧穿源区，该处隧穿结为交错型异质结；在距器件表面一定距离处为错层型异质结隧穿源区，该处隧穿结为错层型异质结，这两个隧穿源区掺杂类型相同。所述的隧穿场效应晶体管制备工艺简单，制备方法完全基于标准的CMOS IC工艺，能有效地在CMOS集成电路中集成TFET器件，还可以利用标准工艺制备由TFET组成的低功耗集成电路，极大地降低了生产成本，简化了工艺流程。

主权项

一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区(6、7)，沟道区(1)，漏区(8)，以及位于沟道上方的控制栅(4)，其特征是，所述的隧穿源区为III‑V族化合物半导体混合晶体，并且该混合晶体的混晶比沿垂直器件表面方向连续变化，隧穿源区与沟道交界面处的异质隧穿结的能带结构沿垂直器件表面方向是渐变的；在器件表面处为交错型异质结隧穿源区(6)，该处隧穿结为交错型异质结；在距器件表面一定距离处为错层型异质结隧穿源区(7)，该处隧穿结为错层型异质结，这两个隧穿源区掺杂类型相同；对于N型器件来说，隧穿源区为P型重掺杂，漏区为N型重掺杂，沟道区为P型轻掺杂；而对于P型器件来说，隧穿源区为N型重掺杂，漏区为P型重掺杂，沟道区为N型轻掺杂。