[发明专利]低功耗单栅非挥发性存储器有效
| 申请号： | 201410168306.8 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103928053B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 陈力颖;杨晓龙;杨亚楠;秦战明 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种与标准CMOS工艺兼容的低功耗单栅非挥发性存储器。它由多个存储单元和电平预置单元电路组成。每个存储单元包括电荷注入晶体管(N1)、电荷泄放晶体管(P1)、隧穿选择晶体管(P2)以及输出控制晶体管(N2)；每个电平预置单元包括三个反相器(INV1)(INV2)(INV3)和电平预置晶体管(P3)。采用NMOS作为读取管，使得存储器控制端少，所需控制电压种类也少，无需负电压，因而控制简单。因为与CMOS工艺兼容，所以本发明具有功耗低、成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 单栅非 挥发性 存储器 | ||
【主权项】：
一种低功耗单栅非挥发性存储器，包括多个存储单元电路和多个电平预置单元电路，其特征是，每个存储单元包括：电荷注入晶体管(N1)、电荷泄放晶体管(P1)、隧穿选择晶体管(P2)以及输出控制晶体管(N2)；每个电平预置单元包括：三个反相器(INV1)(INV2)(INV3)和电平预置晶体管(P3)；隧穿选择晶体管(P2)的源极、漏极和衬底连接在一起，构成隧穿选择端子(Sel)；电荷泄放晶体管(P1)的源极、漏极和衬底连接在一起，构成电荷泄放端子(Ctrl)；电荷注入晶体管(N1)和输出控制晶体管(N2)均为NMOS管，电荷注入晶体管(N1)的源极接地，漏极和输出控制晶体管(N2)的源极相连接；输出控制晶体管(N2)的衬底与电荷注入晶体管(N1)的衬底相连接并接地，栅极作为字线(WL0)，漏极和电平预置晶体管(P3)的漏极、反相器(INV1)的输出端以及反相器(INV2)的输入端相连接；电平预置晶体管(P3)的源极与衬底相连并与电源电压(VDD)连接，栅极作为电平预置端(Pre)；反相器(INV1)和反相器(INV3)的输入端与反相器(INV2)的输出端连接，反相器(INV3)的输出端输出数据；电荷泄放晶体管(P1)和隧穿选择晶体管(P2)均为PMOS管，电荷注入晶体管(N1)、电荷泄放晶体管(P1)、隧穿选择晶体管(P2)的栅极并接，共享浮栅(FG)。
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