[发明专利]用纳米/微球光刻制造纳米/微线太阳能电池有效
申请号: | 201410168382.9 | 申请日: | 2010-06-01 |
公开(公告)号: | CN103996739B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | W·格拉哈姆;S·古哈;O·古纳万;G·S·图勒维斯基;王克嘉;张郢 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 酆迅,张宁 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供用于制造基于纳米线/微线的太阳能电池的技术。在一个方面中,提供用于制造太阳能电池的方法。该方法包括以下步骤。提供掺杂衬底。在该衬底上沉积单层球体。该球体包括纳米球、微球或其组合。修整该球体以在单层中的单独球体之间引入空间。修整后的球体被用作掩模以对该衬底中的接线进行图案化。该接线包括纳米线、微线或其组合。在图案化的接线上形成掺杂发射极层。在该发射极层之上沉积顶部接触电极。在该衬底的与该接线相反的一侧上沉积底部接触电极。 | ||
搜索关键词: | 纳米 光刻 制造 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种用于制造太阳能电池的方法,包括如下步骤:提供掺杂衬底;在所述衬底上沉积单层球体,所述球体包括纳米球、微球或其组合;修整所述球体以在所述单层中的单独球体之间引入空间;使用修整后的球体作为掩模以对所述衬底中的接线进行图案化,所述接线包括纳米线、微线或其组合;在图案化的接线上形成掺杂发射极层,其中所述发射极层由与所述衬底和所述接线不同的、更高带隙的材料形成,从而在其间形成异质结,并且其中所述发射极层被形成为覆盖所述接线的所有暴露表面和所述衬底的顶部表面的共形层,所述发射极层是透光的并且用作窗发射极层;在所述发射极层上直接沉积顶部接触电极,其中所述顶部接触电极包括在所述发射极层之上沉积并且包围每个所述接线的共形层;以及在所述衬底的与所述接线相反的一侧上沉积底部接触电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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