[发明专利]R-T-B系永久磁铁有效
| 申请号： | 201410168557.6 | 申请日： | 2014-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104124019A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 桥本龙司;铃木健一;崔京九 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且能够在低温下制造的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B系结晶层和Ce-T-B结晶层，从而形成R1-T-B系结晶层和Ce-T-B系结晶层的层叠构造，可以在维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场的同时由Ce-T-B系结晶层降低结晶化温度。 | ||
| 搜索关键词： | 永久磁铁 | ||
【主权项】：
一种R‑T‑B系永久磁铁，其特征在于，具有R‑T‑B系的构造，并且层叠有R1‑T‑B系结晶层和Ce‑T‑B系结晶层，其中，R1是不包含Ce的至少一种稀土类元素，T为包含Fe作为必须元素或者包含Fe和Co作为必须元素的一种以上的过渡金属元素。
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