[发明专利]抗PID晶体硅电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抗PID晶体硅电池，包括依次覆盖于硅衬底上的二氧化硅层和氮化硅层减反层。一种抗PID晶体硅电池的制备方法，包括以下步骤：将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、去磷硅玻璃及边缘刻蚀；通过臭氧发生装置在硅衬底表面生成臭氧，再将硅衬底置于紫外灯下照射,生长一层氧化硅；采用PECVD设备在氧化硅上生长一层氮化硅减反层，然后完成正反面电极印刷、烧结。本发明主要对电池的减反射层结构进行改进，在传统的单层或多层氮化硅与晶硅衬底之间采用紫外灯照射的方法制备一层致密的二氧化硅层，二氧化硅层可以阻挡正离子对PN结的侵蚀，从而减小PID效应的影响。

主权项

一种抗PID晶体硅电池，其特征在于：包括依次覆盖于硅衬底（1）上的二氧化硅层（2）和氮化硅层减反层（3）。